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三星电子推出业界最高密度的8GB DDR DRAM模块

发布时间:2019-05-20 11:45 来源:未知 编辑:admin

  三星电子宣布推出业界最大容量的、由72块1Gb单片电路组成的8GB DDR DRAM模块。通过0.10微米工艺流程的采用,新款DRAM模块在最大化密度容量的同时还满足了JEDEC的1.2英寸的高度标准。高密度模块是为高端服务器、工作站以及视频会议系统的实时数据处理、远距离医疗服务、交互式通讯、卫星通讯、综合性个人数据卡、三维制图等专业应用软件度身定做的。业内预测机构IDC认为1Gb DRAM市场将会在2007年达到95亿美元。从2004年至2007年期间,高端服务器领域对DRAM的市场需求也会始终保持52%的复合年增长率(CAGR)。8GB DDR DRAM模块适用于两种封装堆叠技术。双堆叠1Gb DDR DRAM采用薄型小尺寸封装(TSOP),四元组堆叠1Gb DDR DRAM采用细密球型网阵列(FBGA)封装,又或者多堆叠封装(MSP)。基于8GB模块的1-Gb DDR DRAM TSOP拥有36个双堆叠TSOP,它们位于PCB九排中两排平行线的双侧。而新型基于8GB模块的1Gb DDR DRAM FBGA则采用了18个四元组堆叠FBGA,它们位于PCB九排中的两排的双侧。三星先进的四元组堆叠FBGA符合JEDEC关于模块规格1.2英寸的高度标准,它应用了先进的FBGA数据包技术,从而实现了模块的更高密度。此外,三星FBGA封装技术的开发不但支持DDR2 DRAM的FBGA封装标准,还可以迅速运用于下一代DRAM技术,从而制造出更高性能和更高密度的DRAM模块。该突破性的堆叠技术有望在将来的大容量存储解决方案中发挥关键作用。据悉,三星已经开始向主要服务器生产商提供8-GB DDR DRAM模块样品。

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